Les transistors ont des «cotes maximales», y compris les puissances nominales (essentiellement limitées par l`auto-échauffement), le collecteur maximal et les courants de base (à la fois les cotes continue/DC et le PIC), et les cotes de tension de panne, au-delà desquelles l`appareil peut échouer ou au moins effectuer Mal. Les transistors bipolaires peuvent être combinés avec des MOSFET dans un circuit intégré en utilisant un processus BiCMOS de fabrication de plaquettes pour créer des circuits qui tirent parti des forces d`application des deux types de transistor. Le modèle Gummel – Poon SPICE est souvent utilisé, mais il souffre de plusieurs limitations. Ceux-ci ont été abordés dans différents modèles plus avancés: Mextram, VBIC, HICUM, Modella. [32] [33] [34] [35] les transistors bipolaires ont quatre régions distinctes d`opération, définies par des biais de jonction BJT. Les transistors peuvent être considérés comme deux diodes (jonctions P – N) partageant une région commune que les transporteurs minoritaires peuvent traverser. Un BJT PNP fonctionnera comme deux diodes qui partagent une région de cathode de type N, et le NPN comme deux diodes partageant une région d`anode de type P. La connexion de deux diodes avec des fils ne fera pas de transistor, puisque les porteurs minoritaires ne seront pas en mesure d`obtenir d`une jonction P – N à l`autre par le fil. Un BJT se compose de trois régions de semiconducteurs dopées différemment: la région émettrice, la région de base et la région collectrice. Ces régions sont, respectivement, le type p, le type n et le type p dans un transistor PNP, et le type n, le type p et le type n dans un transistor NPN. Chaque région de semiconducteurs est connectée à un terminal, étiqueté correctement: émetteur (E), base (B) et collecteur (C).
6,1 retard des circuits MOS comme nous l`avons vu précédemment, le retard transitoire d`un onduleur CMOS est souvent approximé à l`aide d`une approximation RC. De même, lors de l`analyse des portes plus compliquées pour… 8,4 modélisation du petit SIGNAL pour la partie EXTRINSIQUE la partie “extrinsique” d`un transistor est tout à l`extérieur de la ligne cassée de la Fig. Dans cette figure et dans la vue de dessus dans la Fig. Parce que la tension de base – émetteur varie comme le logarithme des courants de base – émetteur et collecteur – émetteur, un BJT peut également être utilisé pour calculer les logarithmes et les anti-logarithmes. Une diode peut également effectuer ces fonctions non linéaires, mais le transistor fournit plus de flexibilité de circuit. Les modèles MOS à transistor DC développés dans le dernier chapitre sont applicables lorsque les tensions appliquées ne varient pas avec le temps. Dans ce chapitre, nous développeront des modèles dynamiques de transistor qui sont applicables lorsque les tensions des bornes de l`appareil varient avec le temps. La variation des tensions appliquées, si elle est suffisamment petite, se traduit par un petit modèle de signal. Cependant, si la variation des tensions est importante, le grand modèle de signal se produit. Les deux types de modèles sont requis pour un simulateur de circuit, comme cela a été discuté dans le chapitre 1.
Le transistor bipolaire hétérojonction (HBT) est une amélioration du BJT qui peut manipuler des signaux de très hautes fréquences jusqu`à plusieurs centaines de GHz. Il est fréquent dans les circuits ultrarapide modernes, principalement les systèmes RF. 7 [8] les paramètres α {displaystyle alpha} et Forward β {displaystyle beta} sont décrits précédemment. Un inverse β {displaystyle beta} est parfois inclus dans le modèle. Les deux facteurs augmentent le courant de collecteur ou de «sortie» du transistor en réponse à une augmentation de la tension de collecteur – base.
